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SETTORI DI RICERCA |
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| Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori |
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Le attività di ricerca del Gruppo di Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori riguardano la fabbricazione mediante tecnologia MOVPE e lo studio delle proprietà fisiche di nanostrutture quasi 1-dimensionali (‘nanowires’) a base di semiconduttori composti III-V e II--VI per le applicazioni alla nano-elettronica ed al fotovoltaico di III generazione; La sintesi di tali nanostrutture è studiata attravesro processi nano-tecnologici di sintesi epitassiale di tipo 'bottom-up'.
Le ‘facilities’ sperimentali di cui il Gruppo dispone sono:
- Laboratorio di Crescita Epitassiale dotato di: (i) reattore MOVPE MODELLO AIXTRON RD200 per la crescita epitassiale dei semiconduttori III-V, (ii) reattore MOVPE per la crescita epitassiale dei semiconduttori II-VI; (iii) reattore ibrido H2T-VPE (prototipo in fase di sviluppo) per la sintesi di film eptassiali spessi di CdTe/CZT; e (iv) reattore per processi di 'annealing' in atmosfera controllata e processi CVD da sorgente solida; (v) spettrometro di massa a quadrupolo (intervallo 1-600 a.m.u.) per lo stduio ed il monitoraggio in-situ (all’interno dei reattori) dei processi MOVPE/CVD.
- Laboratorio di preparazione chimica corredato di una cappa chimica e di una cappa a flusso laminare (Classe 100).
- Laboratorio di Spettroscopia Ottica per misure di cw-PL, riflettività, e trasmissione nell’intervallo 7-300K.
- Laboratorio di Misure Elettriche dotato di un apparato per misure di resistività (geometria van der Pauw) ed effetto Hall nell’intervallo 10-320K e con campo magnetico fino a 1.5T.
- Laboratorio di Diffrazione di raggi-X dotato di un diffrattometro Rigaku per film sottili per misure XRD sia in geometria Bragg, sia ad angolo radente e per misure di tessitura.
responsabile:
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afferenti:
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collaboratori esterni:
- Dr. Prete Paola (Ricercatore IMM-CNR)
- Dr. Pasquale Paiano (Borsista IMM-CNR)
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Si fornisce di seguito una mappa delle competenze che il settore di ricerca può fornire in termini di formazione, supporto alla progettazione, programmi di ricerca da avviare, consulenze, etc..
Formazione
Anno Accademico 2010-11:
- Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori
- Tecnologie e Materiali per l'Elettronica
- Tecniche Fisiche di Caratterizzazione dei Materiali
Dal 2003 ad oggi: tutoraggio di 10 laureandi in Fisica (CdL Magistrale), Ingegneria Industriale (CdL Triennnale), ed Ingegneria dei Materiali (CdL Triennale e CdL Magistrale/Specialistica), 7 dottorandi (Corso di Dottorato in Ingegneria dei Materiali), 2 borsisti e 2 assegnisti (post-doc).
Consulenze
- Progettazione e realizzazione di strumentazione per la sintesi di semiconduttori
- Modeling degli effetti fluidodinamici in camere di deposizione epitassiale
- Applicazione di tecniche di monitoraggio in-situ per la deposizione di semiconduttori
Temi per i quali realizzare contratti di ricerca con partner esterni
- Fabbricazione e proprietà di nanocristalli quasi-1D (nanowires) di semiconduttori composti III-V e di ossidi semiconduttori (ZnO), per l’applicazione a dispositivi nanoelettronici e nanofotonici ed a nuovi sensori di gas
- Studio e realizzazione di rivelatori X e gamma a CdTe/CZT per applicazioni in astrofisica, radiologia e medicina nucleare
- Caratterizzazione ottica, elettrica e strutturale di materiali semiconduttori
- programmi su questi argomenti finanziati dal MIUR :
Progetto PRIN 2004-2005: Sviluppo di rivelatori a CdTe per raggi X e gamma di nuova generazione: rivelatori a contatti epitassiali
Progetto PRIN 2005-2006: Crescita e proprietà di nanocristalli quasi-unidimensionali di ossidi semiconduttori
- Programmi finanziati dall’Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN)(Progetti triennali SIRTOD e SINEC)
- Programmi finanziati dall’Agenzia Spaziale Italiana (ASI).
Servizi di analisi, caratterizzazione, prove e tarature
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