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logo LA RICERCA DI BASE PER L'ANNO 2012 logo  
Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori Settori di Ricerca
vedi settore di ricerca collegato: Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori
Anno di riferimento:

Nanostrutture quasi 1-dimensionali a base di semiconduttori composti III-V e II-VI per l'applicazione alla nano-elettronica ed al fotovoltaico di III Generazione

responsabile: Prof. Nicola Lovergine

Anche per l'anno 2012 l'attività di ricerca del Gruppo di Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori riguarderà la fabbricazione e lo studio delle proprietò fisiche e fisico-chimiche di nanostrutture quasi 1-dimensionali ('nanowire') a base di semiconduttori composti III-V e II-VI e dei nano-dispositivi fabbricati a partire da tali nanostrutture. L'obiettivo ultimo di tale ricerca riguarda l'applicazione dei nanowire alla nano-elettronica ed al fotovoltaico di III Generazione. La fabbricazione dei nanowire e dei dispositivi quasi 1-dimensionali sarà realizzata mediante tecnologia MOVPE, sfruttando processi nano-tecnologici di sintesi di tipo 'bottom-up', quali quelli assistiti da nano-catalizzatore metallico e l'epitassia selettiva. Lo studio delle proprietà fisiche (strutturali, morfologiche, ottiche, elettroniche) delle strutture cresciute sarà realizzato mediante differenti metodiche di caratterizzazione, quali microscopia elettronica ad emissione di campo, diffrazione/riflesisone di raggi-X, spettroscopia ottica (fotoluminescenza, riflettività/assorbimento), fotocorrente, ecc., sia su singoli nanowire che su 'array' densi. La fabbricazione e lo studio dei nano-dispositivi saranno realizzati in collaborazione con l'Istituto IMM-CNR di Lecce, il Centro Ricerche ENEA di Brindisi, il Dept. of Materials Engineering ed il Dept. of Electrical and Computer Engineering della Drexel University di Philadelphia (USA), e con il Triebenberg Laboratory dell'Università di Dresda (Germania).

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