Fabio Marzo
Ingegnere, Ph.D.
Nasce a Gallipoli (LE) il 27/08/1972
Formazione
- 09/03/2010 – Certificazione “Certified LabVIEW Associate Developer”- National InstrumentsTM
- 21-23/04/2009 – Seminario di formazione su “Indagini visive e strumentali per la valutazione del rischio elettrico” organizzato dal Servizio di Prevenzione e Protezione dell’Università del Salento
- 25/01/2008-14/03/2008 – Corso su “Monitoraggio di processo semiconduttori” - Università del Salento
- 14/05-1/06/2007 “Corso di Formazione per la Valutazione dei Campi Elettromagnetici” organizzato dall’Università del Salento
- 18/12/2006 consegue il titolo di Dottore di Ricerca in “Ingegneria dell’Informazione” XVII ciclo presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione – Università del Salento, discutendo la tesi dal titolo: “Sviluppo di un prototipo di reattore H2T-VPE per la deposizione di film spessi di CdTe/CZT per rivelatori di raggi X e γ”
- 09/2005 Tutorial courses nell’ambito del “3rd SOXESS Workshop on ZnO and related compounds” - Gallipoli (Italia), Settembre 2005:
- “Pulsed Laser Deposition (PLD) of Materials: Principles and Applications to Zinc Oxide” –(J.-P. Mosnier, Dublin City University, Ireland)
- “Investigation of Nanostructures by X-Ray Scattering Experiments” –(L. Tapfer, Centro Ricerche ENEA, Brindisi, Italy)
- “Electrical Microcharacterization of Wide Gap Semiconductors by Scanning Probe Microscopy: Physics and Applications” –(A. Krtschil, Otto-von-Guericke University, Magdeburg, Germany)
- “Zinc Oxide Based Gas Sensors” –(P. Siciliano, IMM-CNR Sezione di Lecce)
- 2002-2004 ciclo triennale della Scuola di Dottorato “Seminario di eccellenza Italo Gorini”- LE MISURE NELLA SOCIETÀ DELL’INFORMAZIONE – “Metodologie e dispositivi di misura nei diversi ambiti industriali, dei servizi, della qualità” - organizzato dal Politecnico di Milano e Università di Perugia
- 06/2003 Tutorial courses nell’ambito de “10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy” tenutosi a Lecce (Italia) 8-11 Giugno 2003:
- “ Basic mechanisms of MOVPE” – (Dr. M.R. Leys, IMEC vzw, Leuven-Belgium)
- “ In-situ characterisation tools for MOVPE” –(Prof. S.J.C. Irvine, University of Wales, Bangor-UK)
- “Optical characterisation of materials and heterostructures” –(Prof B. Monemar, Linköping University, Linköping-Sweden)
- 03/2003 Corso di Formazione su Sicurezza e Igiene per Responsabili e Tecnici di Laboratorio Chimici e Biologici
- 07/01 Esame di abilitazione all’esercizio della professione di Ingegnere
- 04/04/2001 consegue la Laurea in Ingegneria Elettrica presso il Politecnico di Bari con votazione 110/110 discutendo la tesi sperimentale dal titolo “Interfacciamento e sviluppo software per il controllo di processo di un reattore epitassiale per semiconduttori”, svolta in collaborazione con il Laboratorio di Deposizione Epitassiale del Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione dell’Università del Salento
Esperienze Professionali
- dal 16/12/2004 è in servizio presso i Laboratori di Deposizione Epitassiale, Materiali per l’elettronica e Spettroscopia Ottica del Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione dell’Università del Salento con contratto a tempo indeterminato
- 03/02/2003-15/12/2004 in servizio presso il laboratorio di Deposizione Epitassiale e Materiali per l’elettronica del Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione dell’Università del Salento con contratto a tempo determinato
- 24/09/2002 vincitore di concorso pubblico per funzionario tecnico (cat.D) a tempo indeterminato presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione
- 14/05/2002-01/02/2003 contratto di collaborazione coordinata e continuativa presso il Dip. di Ingegneria dell’Innovazione per “Sviluppo di un prototipo di reattore epitassiale” presso il Laboratorio di Deposizione Epitassiale
- 01/02/2002-30/04/2002 incarico di collaborazione occasionale nell’ambito di un progetto INFM per “Collaborazione alla progettazione e alla realizzazione di un prototipo di reattore per deposizione epitassiale”
Partecipazione a progetti di ricerca
- PRIN 2007-09 - "Tecnologie di crescita e ottimizzazione spettroscopica di rivelatori di raggi X e Gamma basati su CdTe/CdZnTe.", coordinatore Prof.ssa A.M. Mancini
- PRIN 2004-06 - "Crescita e proprietà di nanocristalli quasi-unodimensionali di ossidi semiconduttori", coordinatore Prof. N. Lovergine
- PRIN 2003-05 - "Sviluppo di rivelatori a CdTe per raggi X e gamma di nuova generazione: rivelatori a contatti epitassiali", coordinatore Prof.ssa A.M. Mancini
- Progetto SINEC 2005 (INFN) – “Spectroscopic Improvements by Novel Electrode Configurations”
- Progetto Nato SfP Programme - SfP 974476 "Development of Novel Optical Techniques and Devices for Non-Destructive Characterization of Semiconducting Compounds, Epitaxial Layers, and Heterostructures" (2001-2005)
Coordinamenti o Responsabilità nell’Organizzazione di Congressi, Convegni e Seminari
- Comitato organizzatore locale del “3rd SOXESS Workshop on ZnO and related compounds” tenutosi a Gallipoli (Italia) dal 28 Settembre al 1 Ottobre 2005, organizzato dal Gruppo di Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori del Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione dell’Università del Salento, Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi del CNR sezione di Lecce nell’ambito del EU THEMATIC NETWORK G5RT-CT-2002-05075
- Comitato organizzatore locale e Segreteria Scientifica del “10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy” tenutosi a Lecce (Italia) 8-11 Giugno 2003, organizzato dal Gruppo di Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori del Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione dell’Università di Lecce e dall’Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi del CNR sezione di Lecce
Pubblicazioni Scientifiche su rivista
[1] Luminescence of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires grown by MOVPE using tertiarybutylarsine - P. Prete, F. Marzo, P. Paiano, N. Lovergine, G. Salviati, L. Lazzarini, and T. Sekiguchi, J.Cryst. Growth 310, n. 23, 5114-5118 (2008). doi: 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.039
[2] Substrate treatment and precursor stoichiometry effects on the homoepitaxy of CdTe grown by MOVPE on detector-grade (111)B-CdTe crystals - M.Traversa, L. Tapfer, P. Paiano, P. Prete, F. Marzo, N. Lovergine, and A.M. Mancini - Appl. Phys. A, Vol. 91, pp 23-28 (2008)
[3] Hydrogen transport vapour growth and properties of thick CdTe epilayers for RT X-ray detector applications - N. Lovergine, P. Prete, L. Tapfer, F. Marzo, and A.M. Mancini - Cryst. Res. Technol. 40, No. 10–11, pp 1018–1022 (2005)
Pubblicazioni su Atti di Conferenza
[1] Au-assisted MOVPE self-assembly and properties of GaAs, AlGaAs, and GaAs-AlGaAs core-shell nanowires - P. Prete, F. Marzo, I. Miccoli, P. Paiano, and N. Lovergine, in: Procs. of the “Fourth International Conference on Sensing Technology (ICST 2010)”, Lecce (Italy), 3-5 June 2010, eds. S.C.Mukhopadhyay, A. Fuchs, G. Sen Gupta, and A. Lay-Ekuakille, (School of Engineering and Advanced Tehnology, Massey University, New Zealand, 2010), pp. 548-553. ISBN 978-0-473-16942-8
[2] On the luminescence of VLS-grown GaAs-AlGaAs core-shell nanowires and its dependence on MOVPE conditions - P. Prete, N. Lovergine, I. Miccoli, F. Marzo, J.S. Burger, G. Salviati, and L. Lazzarini, in: Multifunction at the Nanoscale through Nanowires, edited by K. Nielsch, A. Fontcuberta i Morral, J.K. Holt, C.V. Thompson, Procs. of the 2009 MRS Fall Meeting, Symposium M, Boston (USA), November 30 – December 4, 2009. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (MRS, Warrendale, USA), Volume 1206E, Paper no.: 1206-M11-36 (2010). ISSN: 02729172; ISBN: 978-161738760-9
[3] A MOVPE technology for fabrication of CdTe-based homoepitaxial p-i-n diode structures as nuclear radiation detectors - M. Traversa, P. Prete, I. Farella, P. Paiano, F. Marzo, A. Cola, N. LOVERGINE, and A.M. Mancini, in: Procs. of the “2nd International IEEE Workshop on Advances in Sensors and Interface (IWASI 2007)”, Bari (I), 26-27 June 2007. IEEE 2007 Conference Record, Guest Editor: D. De Venuto (Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. - IEEE, Piscataway-USA), ISBN: 978-1-4244-1245-7 (2007)
[4] Au-catalysed MOVPE growth of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires using TBA – P. Paiano, P. Prete, F. Marzo, N. Lovergine, and A. M. Mancini, 12th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related Growth Techniques (EW-MOVPE-12), Extended Abstract Booklet EW-MOVPE XII (Slovak Academy of Sciences), Bratislava, Slovakia, June 2007
[5] MOVPE growth optimization of CdTe epitaxial layers for p-i-n diode X-ray detector fabrication - M. Traversa, F. Marzo, P. Prete, L. Tapfer, A. Cappello, N. Lovergine, and A.M. Mancini, in: Procs. of the “12th International Conference of II-VI Compounds (II-VI 2006)”, Warsaw (P), 12-16 September 2006. Physica Status Solidi (c) - Proceedings (Wiley-VCH Verlag GmbH, Berlin-D), Vol. 243, no. 3/4, pagg. 754-757 (2006)
[6] Development of a CdTe/CZT Epitaxial Technology for Fabrication of Large Area RT 1-100 keV X-ray Photon Detectors - N. Lovergine, F. Marzo, A.M. Mancini, and P. Prete – Procs. of the 21st IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IEEE Cat. No.04CH37510), 2004, pt. 3, p 1873-8 Vol.3
[7] A Novel CdTe/CZT Epitaxial Technology for Large Area RT 1-100 keV X-ray Photon Detectors - F.Marzo, N. Lovergine, A.M. Mancini, and P. Prete - Nuclear Science Symposium Conference Record (IEEE Cat. No. 04CH37604), 2004 IEEE, Volume 7, Page(s):4491 – 4495
Contributi Scientifici (abstract/Comunicaz.) a Convegni Internazionali
[1] Optical properties of MOVPE-grown GaAs-AlGaAs core-shell nanowires and their dependence on growth conditions - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, N. Lovergine, G. Salviati, L. Lazzarini, B. Buick, W. Richter, 5th Nanowire Growth Workshop (NWG 2010), Roma, 4-5 November 2010
[2] Au-catalyzed MOVPE growth of vertically-aligned GaAs nanowires on GaAs/(111)Si hetero-substrates - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, N. Lovergine, L. Tapfer, 5th Nanowire Growth Workshop (NWG 2010), Roma, 4-5 November 2010
[3] On Absorption Properties of GaAs/AlGaAs Nanowire Arrays - Z. Gu, B. Nabet, P. Prete, F. Marzo, I. Miccoli, and N. Lovergine, Frontiers in Optics 2010/Laser Science XXVI, Rochester, New York (USA), 24-28 October 2010
[4] GaAs nanowire arrays grown by MOVPE on (111)Si substrates for PV applications - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, and N. Lovergine, Intern. Conf. on “Ordered 1-Dimensional Nanostructures for Photovoltaics (1DNP)”, Mallorca (Spain), 12-15 September 2010
[5] Optical properties of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires grown by Au-assisted MOVPE for photovoltaic applications - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, N. Lovergine, G. Salviati, L. Lazzarini, B. Buick, W. Richter, Intern. Conf. on “Ordered 1-Dimensional Nanostructures for Photovoltaics (1DNP)”, Mallorca, (Spain), 12-15 September 2010
[6] Understanding and controlling the MOVPE growth and optical properties of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires - I. Miccoli, P. Prete, F. Marzo, and N. Lovergine, X International Conference on “Nanostructured Materials” (NANO-2010), Roma, 13-17 September 2010
[7] Au-assisted MOVPE self-assembly and properties of GaAs, AlGaAs, and GaAs-AlGaAs core-shell nanowires - P. Prete, F. Marzo, I. Miccoli, P. Paiano, and N. Lovergine, 4th International Conference on Sensing Technology (ICST 2010), Lecce (Italy), 3-5 June 2010
[8] GaAs-based nanowire arrays grown by MOVPE on (111)Si substrates for PV applications - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, and N. Lovergine, 5th Forum on New Materials, Symposium FG “Photovoltaic Solar Energy Conversion: Materials and Technology Challenges”, Montecatini Terme, 13-18 June 2010
[9] On the luminescence of Au-catalyst grown GaAs-AlGaAs core-shell nanowires and its dependence on MOVPE conditions - P. Prete, I. Miccoli, F. Marzo, N. Lovergine, G. Salviati, and L. Lazzarini, 15th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE-XV), Lake Tahoe (USA) 23-28 May 2010
[10] Au-catalyzed MOVPE growth of vertically-aligned GaAs nanowires on GaAs/(111)Si hetero-substrates - I. Miccoli, P. Prete, F. Marzo, L. Tapfer, and N. Lovergine, 15th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE-XV), Lake Tahoe (USA) 23-28 May 2010
[11] On the Luminescence of VLS-grown GaAs-AlGaAs Core-Shell Nanowires and its Dependence on MOVPE Growth Conditions - P. Prete, N. Lovergine, I. Miccoli, F. Marzo, J.S. Burger, G. Salviati, and L. Lazzarini. Materials Research Society Fall Meeting 2009, Symposium E: Multifunction at the Nanoscale through Nanowires, Boston - MA (USA), 30/11/2009-4/12/2009
[12] MOVPE self-assembly and physical properties of III-V compounds nanowires and related quasi-1d nanostructures - P. Prete, P. Paiano, F. Marzo, N. Lovergine, E. Speiser, B. Buick, and W. Richter, 1st European School on Ellipsometry, Ostuni (Italy), 21-26 September 2008
[13] MOVPE growth and optical properties of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires using tertiarybutylarsine – P. Prete, P. Paiano, F. Marzo, N. Lovergine, G. Salviati, and T. Sekiguchi, 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE – XIV), Metz (France), June 1-6 2008
[14] A MOVPE Technology for Fabrication of CdTe-based Homoepitaxial p-i-n Diode Structures as Nuclear Radiation Detectors – M. Traversa, P. Prete, I. Farella, P. Paiano, F. Marzo, A. Cola, N. Lovergine, and A.M. Mancini – Int. Workshop on Advances in Sensors and Instrumentation (IWASI 2007), June 26-27, 2007, Bari, Italy 2007
[15] Au-catalysed MOVPE growth of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires using TBA – P. Paiano, P. Prete, F. Marzo, N. Lovergine, and A. M. Mancini, 12th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related Growth Techniques (EW-MOVPE-12), Bratislava (Slovacchia), 3-6 Giugno 2007
[16] MOVPE growth optimisation of CdTe epitaxial layers for p-i-n diode X-ray detector fabrication – M.Traversa, F. Marzo, P. Prete , L. Tapfer, A. Cappello , N. Lovergine, and A. M. Mancini - 12th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw (Polonia) 12-16 Settembre 2006
[17] MOVPE growth and characterisation of CdTe layers on detector-grade (111)B-CdTe crystals – M. Traversa, P. Paiano, L. Tapfer, F. Marzo, P. Prete, N. Lovergine, and A.M. Mancini – 13th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE – XIII), Miyazaki (Japan) 22-26 May 2006
[18] Development of an Epitaxial Contact Technology for Novel X- and γ-ray Detectors based on CdTe p-i-n diodes – M. Traversa, P.Paiano, F. Marzo, P. Prete, L. Tapfer, N. Lovergine, and A.M. Mancini - 3rd International Conference on Particle and Fundamental Physics in Space – Part 2006 –Pechino (China), 19-21 Aprile 2006
[19] Development of a CdTe/CZT Epitaxial Technology for Fabrication of Large Area RT 1-100 keV X-ray Photon Detectors – N. Lovergine, F. Marzo, A.M. Mancini, and P. Prete - 21st IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, Roma, 18-20 Maggio 2004
[20] A Novel CdTe/CZT Epitaxial Technology for Large Area RT 1-100 keV X-ray Photon Detectors – F. Marzo, N. Lovergine, A.M. Mancini, and P. Prete - Nuclear Science Symposium (IEEE Cat. No. 04CH37604), Volume 7, Page(s):4491 – 4495, Roma, 16-22 Oct. 2004
Contributi Scientifici (abstract/Comunicaz.) a Convegni Nazionali
[1] Optical properties of MOVPE-grown GaAs-AlGaAs core-shell nanowires and their dependence on growth conditions - P. Prete, F. Marzo, I. Miccoli, N. Lovergine, G. Salviati, L. Lazzarini, B. Buick, W. Richter – Italian Crystal Growth 2010, 18-19 Novembre 2010, Parma, Italy
[2] Au-catalysed self-assembly of GaAs nanowires on MOVPE-grown GaAs/Si heterosubstrates - Ilio Miccoli, P. Prete, F. Marzo, L. Tapfer, N. Lovergine - Italian Crystal Growth 2010, 18-19 Novembre 2010, Parma, Italy
[3] MOVPE self-assembly and luminescence properties of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires - P. Prete, N. Lovergine, I. Miccoli, F. Marzo, P. Paiano, J. Burger, G. Salviati, L. Lazzarini, and T. Sekiguchi - XCV Congresso Nazionale della Società Italiana di Fisica (SIF), Bari, 28 Settembre - 3 Ottobre, 2009, Bari, Italy
[4] Au-catalysed MOVPE growth and physical properties of GaAs-AlGaAs core-shell nanowires - P. Prete, F. Marzo, I. Miccoli, J. Burger, G. Salviati, L. Lazzarini, and N. Lovergine - XXXVIII Congresso Nazionale dell’Associazione Italiana di Cristallografia (A.I.C.), 20-23 Settembre 2009, Salerno, Italy
[5] An epitaxial contact technology for novel X- and gamma-ray detectors based on CdTe crystals - P. Prete, M. Traversa, A. Cola, I. Farella, P. Paiano, F. Marzo, N. Lovergine, A.M. Mancini - I Workshop su “Plasmi Biofisica e Applicazioni”, 9 ottobre 2008, Università del Salento, Lecce
[6] Growth and characterisation of CdTe films for p-i-n diode X-ray detectors - M. Traversa, P. Paiano, F. Marzo, P. Prete, L. Tapfer, N. Lovergine and A.M. Mancini – Accepted to XXXV Congresso Nazionale Associazione Italiana di Cristallografia 18-21 Settembre 2006 – Ferrara (Italy)
[7] CdTe/CZT Epitaxial Technology for Large Area Rt 1-100 keV X-Ray Photon Detectors - F. Marzo, N. Lovergine, P. Prete and A.M. Mancini – XXXIV ongresso Nazionale AIC, 26-29 Sett. 2004, Roma
[8] Development of a CdTe/CZT Epitaxial Technology for Fabrication of Large Area RT 1-100 keV X-ray Photon Detectors - F. Marzo, N. Lovergine, P. Prete and A.M. Mancini - INF Meeting 2004 Convegno Nazionale per la ricerca Interdisciplinare in Fisica della Materia (CNR-INFM), 8-10 Giugno 2004, Genova, Magazzini del Cotone
Competenze Tecniche
- Ottima conoscenza dei sistemi operativi Microsoft Windows, DOS e del pacchetto Microsoft Office, buona conoscenza del sistema operativo Mac OSX.
- Software per la progettazione e la modellazione 2D/3D: AutoCAD, Rhinoceros, SolidWorks, Archicad
- Software per l’analisi e l’elaborazione dei dati: Origin, Matlab
- Software per l’elaborazione d’immagini: Photoshop CS
- Ottima conoscenza dell’ambiente di programmazione LabView (National Instruments) per lo sviluppo di applicazioni per misure di caratterizzazione, test, acquisizione dati, datalogging e controllo di processo, sia con sistemi PC-based sia su piattaforma PXI.
Membro dell’Associazione Italiana di Cristallografia e affiliato al Consorzio Nazionale Interuniversitario per le Scienze Fisiche della Materia
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